股市配资怎么开户 扬杰科技获得实用新型专利授权:“提高沟道区面积的SiCVDMOSFET”

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股市配资怎么开户 扬杰科技获得实用新型专利授权:“提高沟道区面积的SiCVDMOSFET”
发布日期:2025-05-20 22:52    点击次数:193

股市配资怎么开户 扬杰科技获得实用新型专利授权:“提高沟道区面积的SiCVDMOSFET”

本站消息,根据天眼查APP数据显示扬杰科技(300373)新获得一项实用新型专利授权股市配资怎么开户,专利名为“提高沟道区面积的SiCVDMOSFET”,专利申请号为CN202421517836.4,授权日为2025年5月6日。

专利摘要:提高沟道区面积的SiC VDMOSFET,涉及半导体技术领域。本实用新型在SiC VDMOSFET器件中通过将常规条形状的沟道区设计布局成连续的凸台状,从而使器件内部的沟道区面积增加60%?70%,使SiC VDMOSFET器件的通流能力相较于常规条形沟道区提高1.6倍?1.7倍,这不仅提高了器件的功率密度,同时也降低了器件成本。

今年以来扬杰科技新获得专利授权38个,较去年同期增加了22.58%。结合公司2024年年报财务数据,2024年公司在研发方面投入了4.23亿元,同比增19%。

数据来源:天眼查APP

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